选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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InfineonTO263-3 |
100 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
18435 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRSOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
248 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
8000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
24+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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1600 |
18+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRTO-263-3 (D2PAK) |
1600 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
4800 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263 |
10000 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6292 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
00+ |
全新原装,价格优势 |
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IRF630NSTRLPBF价格
IRF630NSTRLPBF价格:¥2.7000品牌:International
生产厂家品牌为International的IRF630NSTRLPBF多少钱,想知道IRF630NSTRLPBF价格是多少?参考价:¥2.7000。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF630NSTRLPBF批发价格及采购报价,IRF630NSTRLPBF销售排行榜及行情走势,IRF630NSTRLPBF报价。
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產品廣泛有:IC集成電路,二極管·三極管·電容·電阻·電感·磁珠·鉭電容·,業務專線:0755-83753010联系人:黄先生电话:0755-83753010QQ:2355705584地址:深圳市佳和大厦A座2101
IRF630NSTRL中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF630NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF630NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF630NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF630NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 9.3A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRF630NSTRRPBF功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 300mOhms 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube