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IRF630NS	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Power MOSFETs 200V, 9.3A, 0.30? Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.200Ω (Typ), VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：209.86 Kbytes 页数：11 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRF630NS	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：155.06 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NS	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：240.54 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NS	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	Power MOSFET 文件：173.94 Kbytes 页数：2 Pages	TEL	TEL
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSTRLPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well know 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSPBF	文件：292.16 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：292.16 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF630NSRPBF	文件：340.74 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：340.74 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF630NSTRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
300 mΩ
ID @25°C max：
9.3 A
QG typ @10V：
23.3 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF630NS供应商更新时间2025-12-1 17:43:00

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