IRF630NS中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书
IRF630NS规格书详情
特性 Features
• Ultra Low On-Resistance
- rDS(ON) = 0.200Ω (Typ), VGS = 10V
• Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models
- Spice and SABER© Thermal Impedance Models
• Peak Current vs Pulse Width Curve
• UIS Rating Curve
产品属性
- 型号：
IRF630NS
- 功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
HEXFET®
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
- |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
18500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
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TO-263 |
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IR |
25+ |
TO263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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IR |
21+ |
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只做原装,质量保证 |
询价 | |||
IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
询价 |
