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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

9450

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深圳市联世界科技有限公司

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IRF624SPBF

VISHAY

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TO-263-3 (D2PAK)

深圳市创新迹电子有限公司

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IRF624STRMOS(场效应管)

IRTO-263

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深圳市金华微盛电子有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

29145

19+

深圳市创新迹电子有限公司

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IRF624S

IRTO-263

20000

22+

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深圳市盈慧通电子有限公司

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IRF624S

IRTO-263

12800

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电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRF624S

IRTO-263

35890

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市一线半导体有限公司

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IRF624S

IRD2-Pak

8866

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF624S

Vishay SiliconixTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

9000

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京海半导体(深圳)有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

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原装现货假一罚十

深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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IRF624S

VISHAY/威世TO263

43600

26+

全新原装现货,假一赔十

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRF624S

NEXPERIA/安世SOD323

69820

23+

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

50000

2023+

原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

8000

23+

只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

7000

23+

艾睿（深圳）半导体有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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IRF624S

IRD2-PAK

16800

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原装现货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRF624S

IR/VISHAYTO-263

12300

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市华来深电子有限公司

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IRF624S

IRTO-263

11846

23+

一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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IRF624S

IRSOT263

12888

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IRF624SPBF价格

IRF624SPBF价格：￥3.5359品牌：Vishay

生产厂家品牌为Vishay的IRF624SPBF多少钱，想知道IRF624SPBF价格是多少？参考价：￥3.5359。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF624SPBF批发价格及采购报价，IRF624SPBF销售排行榜及行情走势，IRF624SPBF报价。

IRF624S中文资料Alldatasheet PDF

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IRF624S功能描述:MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF624SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF624STRL功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF624STRR功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

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