| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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HARTO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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4年
留言
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HARTO-220 |
8575 |
2550+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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3年
留言
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HARTO-220 |
7500 |
23+ |
原厂原装正品 |
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4年
留言
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SECTO-220AB |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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9年
留言
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IRTO-220 |
2000 |
24+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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IRTO-220 |
5 |
1120G/QX |
只做原装,现货库存 |
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3年
留言
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VISHAYTO-220AB |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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15年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
56500 |
25+ |
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INFINEON/英飞凌原装特价IRF6201TRPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
2 |
13+ |
深圳原装无铅现货 |
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6年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)8-SOIC(0.154 |
18798 |
25+ |
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10年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
30000 |
25+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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16年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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7年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)8-SOIC(0.154 |
18798 |
25+ |
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18年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
410 |
21+ |
正规报关原装现货系列订货技术支持 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)8-SOIC(0.154 |
18798 |
25+ |
IRF620采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRF620PBF价格
IRF620PBF价格：￥1.6489品牌：VISHAY
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IRF6201TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF620功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6201PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.45mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6201TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620A功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
IRF620B_FP001功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF620CHIP功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | CHIP
IRF620FI制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
IRF620L功能描述:MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF620N制造商:TRSYS 制造商全称:Transys Electronics 功能描述:Power MOSFET
