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标准包装：4,000类别：分离式半导体产品家庭：FET - 单系列：HEXFETFET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：27A开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.45 毫欧 @ 27A，4.5VId 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 100A闸电荷(Qg) @ Vgs：195nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds：8555pF @ 16V功率 - 最大：2.5W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装：8-SO包装：带卷 (TR)