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IRF630N中文资料200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF630N

功能描述

200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:16:00

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IRF630N规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度

应用 Application

• 消费类全桥
• 全桥
• 推挽

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF630N

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF630NPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :TO220

  • VDS max

    :200 V

  • RDS (on) @10V max

    :300 mΩ

  • ID @25°C max

    :9.3 A

  • QG typ @10V

    :23.3 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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