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IRF630-006中文资料Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R数据手册NJS规格书

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厂商型号

IRF630-006

功能描述

Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:16:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF630-006

  • 生产厂家

    :NJS

  • Minimum Operating Temperature

    :-55°C

  • Maximum Power Dissipation

    :82000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :175°C

  • Maximum Gate Source Voltage

    :±20V

  • Maximum Drain Source Voltage

    :200V

  • Maximum Continuous Drain Current

    :9.3A

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Single

  • Channel Type

    :N

  • Channel Mode

    :Enhancement

  • Category

    :Power MOSFET

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