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IRF630中文资料N沟道200 V、0.35 Ohm典型值、9 A功率MOSFET,DPAK封装数据手册ST规格书

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厂商型号

IRF630

功能描述

N沟道200 V、0.35 Ohm典型值、9 A功率MOSFET,DPAK封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:19:00

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IRF630规格书详情

描述 Description

This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET™ process has specifically been designed to minimize input capacitance and gate charge. It is therefore suitable as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters.

特性 Features

• Extremely high dv/dt capability
• Very low intrinsic capacitance
• Gate charge minimized

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF630

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS(V)

    :200

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)

    :0.4

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :9

  • PTOT_max(W)

    :75

  • Qg_typ(nC)

    :31

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
三年内
1983
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ST(意法半导体)
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