| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
3520 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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HARRISTO220 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
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IRTO-220 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
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SEC |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
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VISHAYTO-220-3 |
14950 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
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VISHAY/威世TO-220 |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263-3 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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VISHAY/威世Tube |
22000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
25000 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYTO-220 |
6580 |
22+ |
原厂原包可开增票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRBGA4 |
7906200 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世TO-220 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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VISHAYTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
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IRTO-263 |
1000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
6900 |
2138+ |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世TO-220 |
10623 |
2021+ |
全新原装现货库存,超低价清仓! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
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FAIRCHILD/仙童货真价实,假一罚十 |
25000 |
TO-220 |
IRF610采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF610图片
IRF610PBF价格
IRF610PBF价格：￥1.1442品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF610PBF多少钱，想知道IRF610PBF价格是多少？参考价：￥1.1442。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF610PBF批发价格及采购报价，IRF610PBF销售排行榜及行情走势，IRF610PBF报价。
IRF610A其他被动元件资讯
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IRF610PBF，IR，TO-220
IRF610A其他被动元件中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF610功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF610_R4941功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6100功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF6100PBF功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF610B制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF610B_FP001功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF610L功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF610LPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF610PBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF610S功能描述:MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
