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IRF640PBF	文件：1.70972 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640PBF	文件：1.00255 Mbytes Page：6 Pages	18A,200VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF640PBF	文件：6.75207 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedFastSwitching DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640PBF	文件：1.60091 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF640PBF	文件：168.14 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640S	文件：228.71 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.18ohm,Id=18A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. SurfaceMount(IRF640S) Low-profilethrough-hole(IRF640L) AvailableinTape&	IRF International Rectifier	IRF
IRF640S	文件：95.09 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistorusingTrenchtechnology,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
IRF640S	文件：84.23 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNEL200V-0.150ohm-18ATO-263MESHOVERLAY]MOSFET DESCRIPTION ThispowerMOSFETisdesignedusinghecompany’sconsolidatedstriplayout-basedMESHOVERLAYprocess.Thistechnologymatchesandimprovestheperformancescomparedwith standardpartsfromvarioussources. ■TYPICALRDS(on)=0.150Ω ■EXTREMELYHIGHdv/dtCAPABILITY ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF640S	文件：2.11507 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationsoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640S	文件：237.05 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surfacemount •Low-profilethrough-hole •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •150°Coperatingtemperature •Fastswitching •Fullyavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多IRF640NSTRRPBF-CUTTAPE供应商更新时间2025-6-8 13:01:00

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