IRF640S中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
IRF640S规格书详情
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAYprocess. This technology matches and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
■ TYPICAL RDS(on)= 0.150Ω
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
产品属性
- 型号：
IRF640S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5788 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
NEW |
TO-263 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-263-3 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
ST/意法 |
06+ |
TO-263 |
15 |
深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ST |
25+23+ |
TO-263 |
15264 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO263 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
15 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 |
