IRF640S中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
IRF640S规格书详情
DESCRIPTION
This power MOSFET is designed using he company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAYprocess. This technology matches and improves the performances compared with
standard parts from various sources.
■ TYPICAL RDS(on)= 0.150Ω
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
■ GATE CHARGE MINIMIZED
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT SWITCHING
■ UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS)
■ DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT.
产品属性
- 型号：
IRF640S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5788 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
VISHAY |
18+ |
SOT-263 |
355 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
06+ |
TO-263 |
15 |
深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
1822+ |
TO263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO263 |
30 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-263 |
10000 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
5000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 |
