| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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IRTO263 |
30000 |
22+ |
只做原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-263 |
15 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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STSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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10 |
2014+ |
公司原装现货常备库存! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
100 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59818 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYTO-263-3 (D2PAK) |
100 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VISN/A |
10400 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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100 |
11+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳万励电子科技有限公司2年
深圳万励电子科技有限公司
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VISHAY/威世BGA |
6000 |
21+/22+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IORSOT263 |
6000 |
1635+ |
好渠道!好价格!一片起卖! |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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IRTO263 |
9850 |
20+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
10 |
23+ |
IRF640S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF640S图片
IRF640SPBF价格
IRF640SPBF价格：￥3.4662品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF640SPBF多少钱，想知道IRF640SPBF价格是多少？参考价：￥3.4662。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF640SPBF批发价格及采购报价，IRF640SPBF销售排行榜及行情走势，IRF640SPBF报价。
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IRF640S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF640S功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640S2470制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF640S2497制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF640SPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640ST4功能描述:MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640STRL功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640STRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640STRR功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF640STRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
