IRF640S中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
IRF640S规格书详情
GENERAL DESCRIPTION
N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line switched mode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits and general purpose switching applications.
The IRF640 is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.
The IRF640S is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.
FEATURES
• ’Trench’ technology
• Low on-state resistance
• Fast switching
• Low thermal resistance
产品属性
- 型号：
IRF640S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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