IRF640S中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF640S规格书详情
描述 Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combinations of fast switching , ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.
Surface Mount (IRF640S)
Low-profile through-hole (IRF640L)
Available in Tape & Reel (IRF640S)
Dynamic dv/dt Rating
150°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
产品属性
- 型号：
IRF640S
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 18 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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