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厂商型号

IRF640S

功能描述

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)

文件大小

228.71 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 23:01:00

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IRF640S规格书详情

描述 Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combinations of fast switching , ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness.

Surface Mount (IRF640S)

Low-profile through-hole (IRF640L)

Available in Tape & Reel (IRF640S)

Dynamic dv/dt Rating

150°C Operating Temperature

Fast Switching

Fully Avalanche Rated

产品属性

  • 型号:

    IRF640S

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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