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IRF5802TRPBF	文件：210.67 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduceSwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncludingEffectiveCOSStoSimplifyDesign,(SeeApp.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •Lead-Free •Halogen-Free Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF5802TRPBF	文件：2.01184 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
5802	文件：982.73 Kbytes Page：3 Pages	.050횞.100for.025PitchCable	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
5802	文件：439.76 Kbytes Page：6 Pages	SealedTinyPushbuttonSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
5802	文件：380.78 Kbytes Page：2 Pages	BoardtoBoardConnector	KSSKyocera Kinseki Corpotation 近畿石油輸送株式会社
5802MN	文件：462.98 Kbytes Page：6 Pages	738AADEMCO™INTERFACE DESCRIPTION The738AAdemcoInterface Moduleallowsyoutointerface Ademco5881wirelessreceivers withtheXR150/XR550Series andXT30/XT50Seriespanels. See“Compatibility”forspecific firmwarelevels.Themodule providesupto32supervised, programmablezonesofAdemco wirelesstr	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
ADL5802	文件：376.42 Kbytes Page：8 Pages	DualChannelHigh-IP3100MHz-6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL5802	文件：790.5 Kbytes Page：32 Pages	DualChannel,HighIP3,100MHzto6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL5802-EVALZ	文件：376.42 Kbytes Page：8 Pages	DualChannelHigh-IP3100MHz-6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL5802-EVALZ	文件：790.5 Kbytes Page：32 Pages	DualChannel,HighIP3,100MHzto6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADL5802XCPZ-WP	文件：376.42 Kbytes Page：8 Pages	DualChannelHigh-IP3100MHz-6GHzActiveMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AL5802	文件：1.19979 Mbytes Page：11 Pages	30V,ADJUSTABLECURRENTSINKLINEARLEDDRIVER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AL5802	文件：1.03547 Mbytes Page：11 Pages	30V,ADJUSTABLECURRENTSINKLINEARLEDDRIVER Description TheAL5802combinesahighgainNPNtransistorwithapre-biasedNPNtransistortomakeasimplesmallfootprintLEDdriver. Features •ReferencevoltageVRSET=0.65V •-40to+125°Ctemperaturerange •0.8Vto30Vopen-collectoroutput •Negativetemperatureco-efficient–auto	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AL5802LP	文件：1.0282 Mbytes Page：10 Pages	LEDDRIVER,30V,LINEAR,ADJUSTABLE,CURRENTSINK Description TheAL5802LPcombinesahigh-gainNPNtransistorwithaprebiasedNPNtransistortomakeasimple,smallfootprintLEDdriver. Features •ReferenceVoltageVREXT=0.65V •-40to+125°COperatingTemperatureRange •0.8Vto30VOpen-CollectorOutput •NegativeTemperatureCoeffic	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AL5802LPL	文件：1.22919 Mbytes Page：11 Pages	LEDDRIVER,30V,LINEAR,ADJUSTABLE,CURRENTSINK Description TheAL5802LPLcombinesahigh-gainNPNtransistorwithaprebiasedNPNtransistortomakeasimple,smallfootprintLEDdriver. Features •ReferenceVoltageVREXT=0.65V •-40to+125°COperatingTemperatureRange •0.8Vto30VOpen-CollectorOutput •NegativeTemperatureCoeffi	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
AON5802	文件：3.28545 Mbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5802usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AON5802A	文件：126.39 Kbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5802usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AON5802B	文件：435.26 Kbytes Page：5 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5802B/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbidirectionalloadswitch,facilitatedby	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AT5802	文件：258.88 Kbytes Page：12 Pages	Preliminary4-ChanneldriverPowerController	Aimtron 园创
BCM5802	文件：594.71 Kbytes Page：50 Pages	Single-ChipSecurityProcessor	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体

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详细参数

型号：
IRF5802TRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF5802TRPBF供应商更新时间2024-4-28 14:20:00

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