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IRF620SPBF | Power MOSFET 文件:217.5 Kbytes 页数:9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
IRF620SPBF | HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80廓 , ID=5.2A ) 文件:1.82495 Mbytes 页数:9 Pages | IRF | IRF | |
Power MOSFET 文件:141.7 Kbytes 页数:8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Vishay Siliconix DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provi 文件:141.7 Kbytes 页数:8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Power MOSFET 文件:217.5 Kbytes 页数:9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
详细参数
- 型号:
IRF620SPBF
- 功能描述:
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
1415+ |
TO-263 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
询价 | ||
vishay |
25+ |
N/A |
120 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
SMD220 |
8650 |
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询价 | ||
IR |
25+ |
TO-263 |
90000 |
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询价 | ||
IR/VISH |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
VISHAY |
25+ |
TO-263 |
1675 |
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询价 | ||
IR |
1923+ |
TO-263 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
VB |
25+ |
SMD-220 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
威世 |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
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