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5800	文件：117.08 Kbytes Page：12 Pages	BiMOSIILATCHEDDRIVERS DABiC-IV,32-BITSERIAL-INPUT,LATCHEDSOURCEDRIVER TheA6818–devicescombinea32-bitCMOSshiftregister,accompanyingdatalatchesandcontrolcircuitrywithbipolarsourcingoutputsandpnpactivepulldowns.Designedprimarilytodrivevacuumfluorescentdisplays,the60Vand-40mAoutpu	Allegro Allegro MicroSystems
5800A	文件：86 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeOscilloscopeProbes	POMONA Pomona Electronics
5800E	文件：332.46 Kbytes Page：2 Pages	InstrumentKnobs	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
5800SSS	文件：2.51313 Mbytes Page：18 Pages	WiFi/ActiveGNSSDirectMountAntenna	pulse Pulse Electronics
A5800	文件：320.36 Kbytes Page：13 Pages	BiMOSIILatchedDrivers FEATURES ■To4.4MHzDataInputRate ■High-Voltage, High-CurrentOutputs ■CMOS,NMOS, TTLCompatibleInputs ■OutputTransientProtection ■InternalPull-DownResistors ■Low-PowerCMOSLatches ■AutomotiveCapable	Allegro Allegro MicroSystems
AG5800	文件：842.46 Kbytes Page：22 Pages	IEEE802.3btPDModule	SILVERTEL Silver Telecom 2019
AO5800	文件：137.29 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO5800usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V,inthesmallSC89-6Lfootprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO5800E	文件：129.37 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO5800EusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V,inthesmallSC89-6Lfootprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlo	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AON5800	文件：132.4 Kbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5800usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
APC5800E	文件：261.26 Kbytes Page：10 Pages	DE-COMPRESSIONVOICEIC CHIPFEATURES. ●DUALOPERATIONFREQUENCIES: -32.768KHZ&0.5SECONDTIMERINTERRUPT. -BUILT-INPLLCIRCUITTOGENERATESYSTEMCLOCKMAX20MHZ. ●BUILT-IN2KBYTES(1K16)RAM. ●ADDRESSUPTO8MBYTE(4M16)RAMORROMOR“ROMANDRAM” BUILT-IN16KBYTE(8K*16)PROGRAMROMAND0.5	APLUSAPLUS APLUS
APL5800	文件：156.63 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.
BA5800A	文件：228.95 Kbytes Page：2 Pages	Li-SO2primarybatterysystem	SAFTsaftbatteries 帅福得
CA5800C	文件：255.35 Kbytes Page：4 Pages	WidebandLinearAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
CA5800C	文件：65.58 Kbytes Page：4 Pages	TheRFLineWidebandLinearAmplifiers	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
CA5800CS	文件：65.58 Kbytes Page：4 Pages	TheRFLineWidebandLinearAmplifiers	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
CA5800CS	文件：255.35 Kbytes Page：4 Pages	WidebandLinearAmplifiers	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
FDB5800	文件：328.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDB5800	文件：249.78 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP5800	文件：614.9 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP5800	文件：333.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
IRF5800TR
功能描述：
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF5800TR供应商更新时间2024-4-27 14:24:00

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