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IRF5801	文件：120.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=0.6A) Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：120.63 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5801	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TSOP-6（Micro 6）封装的 200V 单 N 沟道 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 低栅漏电荷，可降低开关损耗\n• 经过充分验证的的电容，包括有效的Coss以简化设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF5801PBF	文件：229.42 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free ● Halogen-Free Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：229.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5801PBF-1	文件：203.58 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout TSOP-6 Package Features Industry-standard pinout TSOP-6 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability 文件：203.58 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5801TRPBF	文件：229.42 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters Benefits ● Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● Lead-Free ● Halogen-Free Applications ● High frequency DC-DC converters 文件：229.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5801TRPbF-1	文件：203.58 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout TSOP-6 Package Features Industry-standard pinout TSOP-6 Package Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1, Industrial qualification Benefits Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability 文件：203.58 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5801TRPBF-TP	文件：1.11794 Mbytes Page：3 Pages	丝印：262P；Package：SOT23-6；N-Channel MOSFET 200V, 1.5A, 0.7 Features * Vbs =200V e = 1.5A « Roson £0.7Q @Ves = 10V 文件：1.11794 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRF5801PBF_15	文件：229.42 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：229.42 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5801PBF-1_15	文件：203.58 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：203.58 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5801PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TSOP-6 (Micro 6)封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF5801TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TSOP6L
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
2200 mΩ
ID @25°C max：
0.6 A
QG typ @10V：
3.9 nC
Special Features：
Small Power
Polarity：
N
VGS(th) min：
3 V
VGS(th) max：
5.5 V
VGS(th)：
4.25 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF5801供应商更新时间2025-10-11 16:33:00

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