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深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRSOP-8

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深圳市创新迹电子有限公司

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IRSO-8

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原装现货,随时欢迎询价

深圳市科翼源电子有限公司

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IRSOP-8

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原厂原装正品

中天科工半导体(深圳)有限公司

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15年 留言
IRF5803D2

IRF5803D2

IRSOP8

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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SOP

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRSOP8

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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IRSOP-8

4560

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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRSOP8

1449

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深圳市能元时代电子有限公司

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IRSOP8

59388

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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市安富世纪电子有限公司

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Infineon Technologies原装

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只做原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司

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IRSOP8

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市一线半导体有限公司

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IORSOP-8P

160

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上海鑫科润电子科技有限公司

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IRSOP/8

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原装现货海量库存欢迎咨询

芯有半导体(深圳)有限公司

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IR原厂原装

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只做全新原装真实现货供应

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon Technologies8SOIC

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市威雅利发展有限公司

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IRSOP8

1449

04+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市英卓尔科技有限公司

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IRSOP8

2960

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诚信交易大量库存现货

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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2402+

原装正品!实单价优!

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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普通

京海半导体(深圳)有限公司

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IRF5803D2TRPBF价格

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IRF5803D2功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF5803D2HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 40V 3.4A 8SOIC - Rail/Tube

IRF5803D2PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 112mOhm HEXFET -40V VDSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRF5803D2TR功能描述:MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRF5803D2TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC T/R

IRF5803D2TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 112mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube