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IRF5803D2 | FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm) VDSS = -40V RDS(on) = 112mΩ Schottky Vf = 0.51V Description The FETKY™ family of Co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFETs utilize advanced processing techniques to ach 文件：127.15 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | |
FETKY 짰MOSFET & Schottky Diode VDSS = -40V RDS(on) = 112mΩ Schottky Vf = 0.51V Description The FETKY™ family of Co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator and power management applications. HEXFETs utilize advanced processing techniques to ach 文件：143.4 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Ideal For Buck Regulator Applications 文件：148.89 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
Co-packaged HEXFET Power 文件：159.3 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF |
详细参数
- 型号：
IRF5803D2
- 功能描述：
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
FETKY™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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