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IRF5805	文件：126.83 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-30V) Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The TSOP 文件：126.83 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5805	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TSOP-6 (Micro 6)封装 \n优势:\n \n • 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• P 通道MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF5805PBF	文件：204.53 Kbytes Page：9 Pages	丝印：I****；Package：SOT-26；Ultra Low On-Resistance Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The TSOP 文件：204.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5805TRPBF	文件：204.53 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The TSOP 文件：204.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5805TRPBF	文件：1.13915 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：1.13915 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF5805PBF_15	文件：204.53 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance 文件：204.53 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
TSOP-6
VDS max：
-30.0V
RDS (on)(@10V) max：
98.0mΩ
RDS (on) max：
98.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
165.0mΩ
Polarity ：
P
ID (@ TA=25°C) max：
-3.8A
ID (@ TA=70°C) max：
-3.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
QG ：
11.0nC
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
2
Qgd ：
1.5nC
RthJA max：
62.5K/W
VGS max：
20.0V
Tj max：
150.0°C

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