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IRF630B	文件：859.81 Kbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
IRF630B	文件：1.50408 Mbytes Page：9 Pages	200V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingKersemiproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
IRF630B	文件：72.51 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION •DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) •FastSwitchingSpeed APPLICATIONS •DesingedforhighefficiencyswitchingDC/DCconverters, switchmodepowersupplies,DC-ACconver	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
IRF630B	文件：320 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·FastSwitchingSpeed ·LowDriveRequirement ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·This	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
630	文件：141.01 Kbytes Page：2 Pages	LowFrequencies	OSCILENT Oscilent Corporation
630	文件：87.55 Kbytes Page：1 Pages	COMPACTDIGITALTHERMOMETERS&THERMO-HYGROMETERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630	文件：1.35377 Mbytes Page：11 Pages	9A200VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 1Description TheseN-channelEnhancedVDMOSFETs,isobtainedby theself-alignedplanartechnologywhichreducethe conductionloss,improveswitchingperformanceand enhancetheavalancheenergy.Whichaccordswiththe RoHSstandard. 2Features ●FastSwitching ●LowONResistance(Rdso	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司
630A	文件：1.95151 Mbytes Page：6 Pages	Fastswitching Features ·Fastswitching ·100avalanchetested ·Improveddv/dtcapability Application ·DCMotorControlandClassDAmplifier ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·Automotive	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
630B	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630C-SERIES	文件：1.07701 Mbytes Page：12 Pages	630CSeriesRightAngleComboD-SubConnectors\|Receptacle Features Signal,alongwithpowerorcoaxialcontactswithinoneconnector SpacesavingonthePCBandI/Odesigns Availableinvariouspinoutconfigurations PinandsocketcontactmatingdesignwithP.C.tailtermination MetalshellprovidesEMI/RFIshielding,plugshellindentsprovidegro	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司
630D	文件：87.45 Kbytes Page：1 Pages	AluminumCapacitorsElectrolytics	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：129.68 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
630D	文件：155.55 Kbytes Page：1 Pages	PULSETRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
630D	文件：67.39 Kbytes Page：3 Pages	AluminumCapacitors125°C,Miniature,AxialLead	VishayVishay Siliconix 威世科技
630F	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630FE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司
630FMM	文件：54.86 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88690V6-700A	COOPER 科普斯株洲市科普斯科技有限公司
630FMM	文件：53.58 Kbytes Page：2 Pages	BritishStyleBS88	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商

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详细参数

型号：
IRF630B
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
200V N-Channel MOSFET

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