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IRF630B中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

IRF630B
厂商型号

IRF630B

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

320 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Inchange Semiconductor Company Limited
企业简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 20:00:00

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IRF630B规格书详情

DESCRIPTION

·Drain Current –ID=9A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.4Ω(Max)

·Fast Switching Speed

·Low Drive Requirement

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·This device is n-channel, enhancement mode, power MOSFET

designed especially for high power, high speed applications,

such as switching power supplies,UPS, AC and DC motor controls,

relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.

产品属性

  • 型号:

    IRF630B

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    200V N-Channel MOSFET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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