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IRF630中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

IRF630
厂商型号

IRF630

功能描述

FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR

文件大小

910.79 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称

NJSEMI新泽西半导体

中文名称

新泽西半导体产品股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 23:00:00

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产品属性

  • 型号:

    IRF630

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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