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IRF3710	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=23mohm, Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710	文件：346.96 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF3710	文件：715.62 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF3710	文件：280.15 Kbytes Page：2 Pages	N -Channel Power MOSFET (100V/59A)	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF3710	文件：65.319 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel Mosfet Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3710L	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710LPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A ) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710PBF	文件：185.06 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFETÆPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710S	文件：184.53 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRF3710SPBF	文件：279.47 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A ) VDSS=100V RDS(on)=23mΩ ID=57A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF3710
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET N TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF3710供应商更新时间2025-5-5 11:04:00

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