| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
2500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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IRTO263 |
35680 |
23+ |
只做进口原装QQ:373621633 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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标准国际(香港)有限公司16年
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950 |
1912+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOP8 |
20100 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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IR/INFINEONTO-263 |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263-3 |
3200 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRDIPSOP |
12300 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
20 |
18+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
90 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
2400 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
28125 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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800 |
2142 |
原装正品老板王磊+13925678267 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252-3 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
6499 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
IRF530NS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF530NS图片
IRF530NSTRLPBF价格
IRF530NSTRLPBF价格：￥2.2210品牌：International
生产厂家品牌为International的IRF530NSTRLPBF多少钱，想知道IRF530NSTRLPBF价格是多少？参考价：￥2.2210。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF530NSTRLPBF批发价格及采购报价，IRF530NSTRLPBF销售排行榜及行情走势，IRF530NSTRLPBF报价。
IRF530NSTRLPBF资讯
IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF530NS功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF530NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF530NSPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF530NSTRL制造商:International Rectifier
IRF530NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF530NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF530NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF530NSTRRPBF功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 90mOhms 24.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
