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IRF7105	文件：339.7 Kbytes Page：18 Pages	EVALUATION KIT INTRODUCINGLX1710/1711AUDIOMAX ThankyouforyourinterestinthelatestgenerationofAudioMAXproducts.TheenclosedLXE1710evaluationboardisafullyfunctionalmonoamplifierdesignedtodemonstratethe“newandimproved”SwitchingClass-DPowerAmplifierICfromLinfinityMicrosemi.The	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
IRF7105	文件：271.1 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET POWER MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7105	文件：452.89 Kbytes Page：9 Pages	Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: VDS(V)=25V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7105PBF	文件：302.21 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7105PBF	文件：307.9 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7105QPBF	文件：319.49 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION TheseHEXFET®PowerMOSFETsinaDualSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	IRF International Rectifier	IRF
IRF7105TR	文件：452.89 Kbytes Page：9 Pages	Marking：IRF7105；Package：SOP-8；Dual N P Channel MOSFET Features N-Ch: VDS(V)=25V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7105TRPBF	文件：307.9 Kbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
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IRF7105PBF_15	文件：307.9 Kbytes Page：10 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF7105
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N/P-CH 25V 3.5A/2.3A 8-Pin SOIC
功能描述：
MOSFET DUAL NP LOGIC SO-8

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