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IRF7105PBF规格书详情
描述 Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
● Adavanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dual N and P Channel Mosfet
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Fast Switching
● Lead-Free
产品属性
- 型号：
IRF7105PBF
- 功能描述：
MOSFET 25V DUAL N/P CH 20 VGS MAX V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HAMOS/汉姆 |
23+ |
SOP-8 |
30000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
2013+ |
TO-220 |
10000 |
授权分销IR系列全新原装正品，现货供应 IRF7105PBF，正品原装，品质保证，欢迎咨询洽谈。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOIC14 |
59032 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
8-SOIC |
1713 |
询价 | |||
IR |
22+ |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | |||
IR |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
