| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：307.9 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：615.6 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：615.6 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET POWER MOSFET 文件：316.98 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFETPOWERMOSFET 文件：316.98 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology 文件：609.83 Kbytes 页数：11 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET Power MOSFET 文件：298.99 Kbytes 页数：10 Pages | SYC | SYC | ||
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.44766 Mbytes 页数：14 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
25V 单个 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET， 采用 SO-8 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- OPN：
IRF7105TRPBF
- Qualification：
Non-Automotive
- Package name：
SO8
- VDS max：
25 V
- RDS (on) @10V max：
100 mΩ/250 mΩ
- RDS (on) @4.5V max：
160 mΩ/400 mΩ
- ID @25°C max：
3.5 A/-2.3 A
- QG typ @10V：
9.4 nC/10 nC
- Polarity：
N+P
- VGS(th) min：
-1 V/1 V
- VGS(th) max：
-3 V/3 V
- Technology：
IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SOP-8 |
6300 |
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SOP-8P |
6 |
现货 |
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PLCC |
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原厂直接发货进口原装 |
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原产原装 |
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原厂封装 |
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SOP8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
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更新时间2025-12-1 10:20:00
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