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IRF7101	文件：211.13 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 20V VGS Max. Gate Rating ● 100 tested for Rg Applications ● Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power ● Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters 文件：211.13 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7101	文件：265.04 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：265.04 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7101	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7101PBF	文件：275.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：275.91 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7101TRPBF	文件：281.46 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology Description Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：281.46 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7101PBF_15	文件：281.46 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：281.46 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7101TRPBF	文件：1.73329 Mbytes Page：7 Pages	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.73329 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
20.0V
RDS (on) max：
100.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
100.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
150.0mΩ
Polarity ：
N+N
ID (@ TA=70°C) max：
2.3A
ID (@ TA=25°C) max：
3.5A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
QG ：
10.0nC
RthJA max：
62.5K/W
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd(typ) ：
2.4nC
Tj max：
150.0°C
VGS max：
12.0V

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