IRF7101中文资料20V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
:IRF7101
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:SO-8
- VDS max
:20.0V
- RDS (on) max
:100.0mΩ
- RDS (on)(@10V) max
:100.0mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
:150.0mΩ
- Polarity
:N+N
- ID (@ TA=70°C) max
:2.3A
- ID (@ TA=25°C) max
:3.5A
- Ptot(@ TA=25°C) max
:2.0W
- QG
:10.0nC
- RthJA max
:62.5K/W
- Moisture Sensitivity Level
:1
- Qgd(typ)
:2.4nC
- Tj max
:150.0°C
- VGS max
:12.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
78 |
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IR |
2016+ |
SOP8 |
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20+ |
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ir |
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NA |
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IR |
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IR |
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IR |
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SOP8 |
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IR |
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SOP8 |
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IR |
23+ |
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50000 |
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IR |
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