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IRF6811S中文资料采用 DirectFET SQ 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 19 安培,具有低导通电阻。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6811S

功能描述

采用 DirectFET SQ 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 19 安培,具有低导通电阻。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IRF6811S规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 100% 经过接地电阻测试
• 纤薄外形(小于0.7毫米)
• 双面冷却
• 针对控制FET应用进行了优化
• 低通态损耗
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感

应用 Application

• 多相 ControlFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6811S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DirectFET SQ

  • VDS max

    :25.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :3.7mΩ

  • RDS (on) max

    :3.7mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :5.4mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :15.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :19.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :74.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.1W

  • Ptot max

    :32.0W

  • QG 

    :11.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • RthJC max

    :3.9K/W

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :16.0V

  • Qgd 

    :4.2nC 

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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