IRF6726M中文资料采用 DirectFET ™ MX 封装的 30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF6726M规格书详情
描述 Description
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。
特性 Features
• 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
• 产品符合 JEDEC 标准
• 高额定电流
• 双面冷却能力
• 封装高度低至 0.7 毫米
• 低寄生 (1-2 nH) 电感封装
• 100% 无铅（无 RoHS 豁免）
技术参数
- 制造商编号
：IRF6726M
- 生产厂家
：Infineon
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.8 W
- Ptotmax
：89 W
- Qgd
：16 nC
- QG(typ @4.5V)
：51 nC
- RDS (on)(@10V) max
：1.7 mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：2.4 mΩ
- RthJCmax
：1.4 K/W
- Tjmax
：150 °C
- VDSmax
：30 V
- VGS(th)
：1.7 V
- VGSmax
：20 V
- Mounting
：SMD
- Package
：DirectFET(M)
- Micro-stencil
：IRF66MT-25
- Polarity
：N
- Moisture Sensitivity Level
：1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
IR |
1903 |
DIRBCTFET |
2265 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIRBCTFET |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
MG-WDSON-5 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
MG-WDSON-5 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
IR |
25+ |
QFN |
15000 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
MG-WDSON-5 |
8000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
MG-WDSON-5 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
