IRF6711S中文资料25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为19 A。数据手册Infineon规格书
IRF6711S规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 100% 经过接地电阻测试
• 纤薄外形（小于0.7毫米）
• 双面冷却
• 针对控制FET应用进行了优化
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感
应用 Application
• 多相 ControlFET
技术参数
- 制造商编号
：IRF6711S
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：DirectFET SQ
- VDS max
：25.0V
- RDS (on) max
：3.8mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：3.8mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：6.5mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：15.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：19.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：84.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.2W
- Ptot max
：42.0W
- QG
：13.0nC
- Mounting
：SMD
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：4.4nC
- Tj max
：150.0°C
- RthJC max
：3.0K/W
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
14400 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
IR |
14+ |
SMD |
2976 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
DirectFET SQ |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD |
5476 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
IR |
21+ |
QFN |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IOR |
18+ |
DIRECTFET |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
IR |
17+ |
QFN |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 |
