IRF6691中文资料HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRF6691
- 功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
892 |
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IR |
0811+ |
QFN |
975 |
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IOR |
23+ |
QFN/DirectFET-M |
30000 |
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Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? MT |
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IR |
05+ |
QFN |
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IOR |
24+ |
DIRECTFET |
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IR |
23+ |
QFN |
3000 |
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IR |
2223+ |
QFN |
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IR |
21+ |
DIRECTFET |
30000 |
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INFINEON |
25+ |
1000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 |
