IRF6655中文资料100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SH 封装,额定电流为19A。数据手册Infineon规格书
IRF6655规格书详情
应用 Application
• 交流-直流
• 电池驱动
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关高边
技术参数
- 制造商编号
:IRF6655
- 生产厂家
:Infineon
- Package
:DirectFET SH
- VDS max
:100.0V
- RDS (on)(@10V) max
:62.0mΩ
- RDS (on) max
:62.0mΩ
- Polarity
:N
- ID (@ TA=70°C) max
:3.4A
- ID (@ TA=25°C) max
:4.2A
- Ptot(@ TA=25°C) max
:2.2W
- Ptot max
:42.0W
- QG
:8.7nC
- Mounting
:SMD
- Moisture Sensitivity Level
:1
- Qgd
:2.8nC
- Tj max
:150.0°C
- VGS max
:20.0V
- RthJC max
:3.0K/W
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
4860 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER |
2023+ |
SMD |
849 |
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18+ |
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IR |
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IR |
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SMD |
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IR |
23+ |
TO-252 |
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IR |
21+ |
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30000 |
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IR |
24+ |
65230 |
询价 |