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IRF6655数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF6655

功能描述

100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SH 封装,额定电流为19A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 20:00:00

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IRF6655规格书详情

应用 Application

• 交流-直流
• 电池驱动
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关高边

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6655

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DirectFET SH

  • VDS max

    :100.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :62.0mΩ

  • RDS (on) max

    :62.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :3.4A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :4.2A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.2W

  • Ptot max

    :42.0W

  • QG 

    :8.7nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :2.8nC 

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • RthJC max

    :3.0K/W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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