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IRF6631中文资料采用 DirectFET SQ 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 57 安培。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6631

功能描述

采用 DirectFET SQ 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 57 安培。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6631

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DirectFET SQ

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :7.8mΩ

  • RDS (on) max

    :7.8mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :10.8mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :10.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :13.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.2W

  • Ptot max

    :42.0W

  • QG 

    :12.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • RthJC max

    :3.0K/W

  • VGS max

    :20.0V

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :4.4nC 

  • Tj max

    :150.0°C

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