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IRF6631	文件：240.73 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET Description The IRF6631 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.6 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：240.73 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6631	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 DirectFET SQ 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 57 安培。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6631PBF	文件：253.72 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6631PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a Micro-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：253.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6631PBF	文件：253.72 Kbytes Page：10 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description The IRF6631PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a Micro-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：253.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6631TR1PBF	文件：253.72 Kbytes Page：10 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description The IRF6631PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a Micro-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：253.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6631TRPBF	文件：253.72 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6631PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a Micro-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：253.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6631TRPBF	文件：253.72 Kbytes Page：10 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description The IRF6631PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a Micro-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：253.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6631PBF_15	文件：253.72 Kbytes Page：10 Pages	Low Switching and Conduction Losses 文件：253.72 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
DirectFET SQ
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@10V) max：
7.8mΩ
RDS (on) max：
7.8mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
10.8mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
10.0A
ID (@ TA=25°C) max：
13.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.2W
Ptot max：
42.0W
QG ：
12.0nC
Mounting ：
SMD
RthJC max：
3.0K/W
VGS max：
20.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
4.4nC
Tj max：
150.0°C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海鑫科润电子科技有限公司	IRF6631	IOR	2006	DIRECTFET	1267	原装现货海量库存欢迎咨询	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IRF6631	INFINE0N	21+	DirectFET SQ	32568	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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深圳市凌旭科技有限公司	IRF6631TR1PBF	IR	2016+	QFN	6000	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价

更多IRF6631供应商更新时间2025-10-7 14:04:00

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