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IRF6655

DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)

RoHS compliant containing no lead or bromide Low Profile (

文件:257.82 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF6655

采用 DirectFET SH 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,额定电流为 19 安培。

Infineon

英飞凌

IRF6655PBF

DirectFET Power MOSFET

RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Ideal for Control FET sockets in 36V-75V in Synchronous Buck applications Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Pro

文件:276.72 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF6655TRPBF

DirectFET Power MOSFET

RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Ideal for Control FET sockets in 36V-75V in Synchronous Buck applications Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Pro

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IRF

IRF6655PBF

Application Specific MOSFETs

文件:277.68 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF6655PBF

Application Specific MOSFETs

文件:277.68 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF6655PBF_15

Application Specific MOSFETs

文件:277.68 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF6655TR1

RoHS compliant containing no lead or bromide 

文件:271.59 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF6655TR1PBF

Application Specific MOSFETs

文件:277.68 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRF6655TRPBF

Application Specific MOSFETs

文件:277.68 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

技术参数

  • Package :

    DirectFET SH

  • VDS max:

    100.0V

  • RDS (on)(@10V) max:

    62.0mΩ

  • RDS (on) max:

    62.0mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID (@ TA=70°C) max:

    3.4A

  • ID (@ TA=25°C) max:

    4.2A

  • Ptot(@ TA=25°C) max:

    2.2W

  • Ptot max:

    42.0W

  • QG :

    8.7nC 

  • Mounting :

    SMD

  • Moisture Sensitivity Level :

    1

  • Qgd :

    2.8nC 

  • Tj max:

    150.0°C

  • VGS max:

    20.0V

  • RthJC max:

    3.0K/W

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRF6655供应商 更新时间2025-11-30 13:01:00