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IRF6641中文资料200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MZ 封装,额定电流为26 A。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6641

功能描述

200V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MZ 封装,额定电流为26 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IRF6641规格书详情

应用 Application

• 电池驱动
• D 类音频
• 负载开关高边

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6641

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF6641TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DirectFET MZ (MG-WDSON-5)

  • VDS max

    :200 V

  • RDS (on) @10V max

    :59.9 mΩ

  • ID @25°C max

    :26 A

  • QG typ @10V

    :34 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :3 V

  • VGS(th) max

    :4.9 V

  • VGS(th)

    :4 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
750
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