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IRF6622中文资料25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ 封装,额定电流为59 A。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6622

功能描述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET SQ 封装,额定电流为59 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6622

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DirectFET SQ

  • VDS max

    :25.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :6.3mΩ

  • RDS (on) max

    :6.3mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :8.9mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :12.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :15.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.2W

  • Ptot max

    :34.0W

  • QG 

    :11.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Tj max

    :150.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :3.8nC 

  • RthJC max

    :3.7K/W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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