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IRF6668中文资料80V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MZ 封装,额定电流为 55 A。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6668

功能描述

80V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MZ 封装,额定电流为 55 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IRF6668规格书详情

应用 Application

• 交流-直流
• 电池驱动
• D 类音频
• 隔离式初级侧 MOSFET
• 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
• 负载开关高边

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6668

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF6668TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :MZ (DIRECTFET)

  • VDS max

    :80 V

  • RDS (on) @10V max

    :15 mΩ

  • ID @25°C max

    :55 A

  • QG typ @10V

    :22 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :4 V

  • VGS(th)

    :4.9 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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