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IRF6668	文件：256.87 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET RoHS compliant containing no lead or bromide Low Profile ( 文件：256.87 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6668	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MZ 封装，额定电流为 55 A。	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6668PBF	文件：627.15 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile ( 文件：627.15 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6668TRBF	文件：627.15 Kbytes Page：9 Pages	DirectFET Power MOSFET RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile ( 文件：627.15 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6668PBF	文件：636.25 Kbytes Page：10 Pages	Application Specific MOSFETs 文件：636.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6668PBF_15	文件：636.25 Kbytes Page：10 Pages	Application Specific MOSFETs 文件：636.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6668PBP	文件：636.25 Kbytes Page：10 Pages	The IRF6668PbF combines the latest HEXFET짰 Power MOSFET 文件：636.25 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6668TR1PBF	文件：636.25 Kbytes Page：10 Pages	Application Specific MOSFETs 文件：636.25 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6668TRPBF	文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages	Benchmark MOSFETs Product Selection Guide 文件：2.62043 Mbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF6668TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
MZ (DIRECTFET)
VDS max：
80 V
RDS (on) @10V max：
15 mΩ
ID @25°C max：
55 A
QG typ @10V：
22 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
4 V
VGS(th)：
4.9 V
Technology：
IR MOSFET™

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