IRF6710S2中文资料采用 DirectFET S1 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 12 安培，具有低导通电阻。数据手册Infineon规格书
IRF6710S2规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 100% 经过接地电阻测试
• 纤薄外形（小于0.7毫米）
• 双面冷却
• 针对控制FET应用进行了优化
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感
应用 Application
• 多相 ControlFET
技术参数
- 制造商编号
：IRF6710S2
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：DirectFET S1
- VDS max
：25.0V
- RDS (on)(@10V) max
：5.9mΩ
- RDS (on) max
：5.9mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：11.9mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：10.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：12.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：37.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：1.8W
- Ptot max
：15.0W
- QG
：8.8nC
- Mounting
：SMD
- Qgd
：3.0nC
- RthJC max
：9.8K/W
- Tj max
：175.0°C
- VGS max
：20.0V
- Moisture Sensitivity Level
：1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
1600 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IOR |
2016+ |
SMD |
4000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IOR |
1027+ |
SMD |
353 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
50000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFET-S1 |
6000 |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
DirectFET S1 |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
23 |
DIRECTFET ISOMETRIC |
30000 |
代理全新原装现货 价格优势 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
4667 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
SMD |
9860 |
原装现货/放心购买 |
询价 |
