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IRF6710S2数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF6710S2

功能描述

25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET S1 封装,在低导通电阻下进行了优化, 额定电流为12 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:22:00

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IRF6710S2规格书详情

特性 Features


优势:
• 符合 RoHS
• 100% 经过接地电阻测试
• 纤薄外形(小于0.7毫米)
• 双面冷却
• 针对控制FET应用进行了优化
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感

应用 Application

• 多相 ControlFET

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6710S2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DirectFET S1

  • VDS max

    :25.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :5.9mΩ

  • RDS (on) max

    :5.9mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :11.9mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :10.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :12.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :37.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :1.8W

  • Ptot max

    :15.0W

  • QG 

    :8.8nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Qgd 

    :3.0nC 

  • RthJC max

    :9.8K/W

  • Tj max

    :175.0°C

  • VGS max

    :20.0V

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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