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IRF6710S2	文件：307.84 Kbytes Page：10 Pages	RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free 文件：307.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6710S2	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 DirectFET S1 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 12 安培，具有低导通电阻。 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 100% 经过接地电阻测试\n• 纤薄外形（小于0.7毫米）\n• 双面冷却\n• 针对控制FET应用进行了优化\n• 针对高频开关进行了优化\n• 低封装电感;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6710S2PBF	文件：307.84 Kbytes Page：10 Pages	Ultra Low Package Inductance 文件：307.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6710S2PBF_15	文件：307.84 Kbytes Page：10 Pages	RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free 文件：307.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6710S2TR1PBF	文件：307.84 Kbytes Page：10 Pages	DirectFET Power MOSFET 文件：307.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6710S2TR1PBF	文件：307.84 Kbytes Page：10 Pages	RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free 文件：307.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6710S2TRPBF	文件：307.84 Kbytes Page：10 Pages	DirectFET Power MOSFET 文件：307.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6710S2TRPBF	文件：307.84 Kbytes Page：10 Pages	RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free 文件：307.84 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6710S2TRPBF	文件：2.62043 Mbytes Page：6 Pages	Benchmark MOSFETs Product Selection Guide 文件：2.62043 Mbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
DirectFET S1
VDS max：
25.0V
RDS (on)(@10V) max：
5.9mΩ
RDS (on) max：
5.9mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
11.9mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
10.0A
ID (@ TA=25°C) max：
12.0A
ID (@ TC=25°C) max：
37.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
1.8W
Ptot max：
15.0W
QG ：
8.8nC
Mounting ：
SMD
Qgd ：
3.0nC
RthJC max：
9.8K/W
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市斌腾达科技有限公司	IRF6710S2	INFINE0N	21+	DirectFET S1	32568	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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更多IRF6710S2供应商更新时间2025-11-22 13:02:00

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