IRF6725M中文资料采用 DirectFET MX 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 28 安培，具有低导通电阻。数据手册Infineon规格书
IRF6725M规格书详情
特性 Features
优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Dual-side cooling capability
• Low package height of 0.7mm
• Low parasitic (1-2 nH) inductance package
• 100% lead-free (No RoHS exemption)
技术参数
- 制造商编号
：IRF6725M
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：DirectFET MX
- VDS max
：30.0V
- RDS (on)(@10V) max
：2.2mΩ
- RDS (on) max
：2.2mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：3.2mΩ
- Polarity
：N
- ID (@ TA=70°C) max
：22.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：28.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：170.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.8W
- Ptot max
：100.0W
- QG
：36.0nC
- Mounting
：SMD
- Tj max
：150.0°C
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd
：11.0nC
- RthJC max
：1.2K/W
- VGS max
：20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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