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IRF6725M中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MX 封装,在低导通电阻下进行了优化,额定电流为28 A。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF6725M

功能描述

30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MX 封装,在低导通电阻下进行了优化,额定电流为28 A。

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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IRF6725M规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Product qualification according to JEDEC standard
• Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
• Dual-side cooling capability
• Low package height of 0.7mm
• Low parasitic (1-2 nH) inductance package
• 100% lead-free (No RoHS exemption)

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF6725M

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DirectFET MX

  • VDS max

    :30.0V

  • RDS (on)(@10V) max

    :2.2mΩ

  • RDS (on) max

    :2.2mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :3.2mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID (@ TA=70°C) max

    :22.0A

  • ID (@ TA=25°C) max

    :28.0A

  • ID (@ TC=25°C) max

    :170.0A

  • Ptot(@ TA=25°C) max

    :2.8W

  • Ptot max

    :100.0W

  • QG 

    :36.0nC 

  • Mounting 

    :SMD

  • Tj max

    :150.0°C

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Qgd 

    :11.0nC 

  • RthJC max

    :1.2K/W

  • VGS max

    :20.0V

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