选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INTERNASMD7 |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)MG-WDSON-5 |
11177 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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IRDIRECTFET- |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
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IRDIRECTFET- |
4800 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0NDirectFET MX |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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InfineonMG-WDSON-5 |
15500 |
23+ |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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IRDirectFET MX |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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北京京北通宇电子元件有限公司16年
留言
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INFINEONNA |
4830 |
23+ |
功率MOSFET |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRDirectFET MX |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市富安睿科技有限公司6年
留言
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英飞凌DirectFET MX (MG-WDSON-5) |
6000 |
21+ |
绝对原裝现货 |
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深圳市川蓝电子科技有限公司4年
留言
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INFINEONMG-WDSON-5 |
14253 |
23+ |
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原包装原标现货,假一罚十, |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
30000 |
24+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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IRDIRECTFET |
54990 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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深圳市华芯购电子有限公司3年
留言
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INFINEONDIRECTFET- |
6000 |
21+ |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesDIRECTFET? MX |
19200 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
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深圳市力仕科电子科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌MG-WDSON-5 |
6000 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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IRDIRECTFET- |
5000 |
22+ |
十年沉淀唯有原装 |
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深圳市金宏图电子科技有限公司1年
留言
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Infineon Technologies |
9440 |
22+ |
全新原装深圳现货 |
IRF6717M采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF6717M图片
IRF6717MTRPBF价格
IRF6717MTRPBF价格:¥8.4009品牌:International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRF6717MTRPBF多少钱,想知道IRF6717MTRPBF价格是多少?参考价:¥8.4009。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF6717MTRPBF批发价格及采购报价,IRF6717MTRPBF销售排行榜及行情走势,IRF6717MTRPBF报价。
IRF6717MTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF6717MPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFETPower MOSFET
IRF6717MTR1PBF功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6717MTRPBF功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube