DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6726MPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing lay

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IRF

DirectFET Power MOSFET

Description The IRF6726MPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing lay

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RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide

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RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide

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Benchmark MOSFETs Product Selection Guide

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RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide

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采用 DirectFET ™ MX 封装的 30V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET

StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。 • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 高额定电流\n• 双面冷却能力\n• 封装高度低至 0.7 毫米\n• 低寄生 (1-2 nH) 电感封装\n• 100% 无铅（无 RoHS 豁免）;

Infineon

英飞凌