IRF6802SD中文资料采用 DirectFET SA 封装的 25V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 16 安培，具有低导通电阻。数据手册Infineon规格书
IRF6802SD规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 100% 经过接地电阻测试
• 双 N 通道 MOSFET
• 纤薄外形（小于0.7毫米）
• 双面冷却
• 针对控制FET应用进行了优化
• 低通态损耗
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感
应用 Application
• 电池保护
技术参数
- 制造商编号
：IRF6802SD
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：DirectFET SA
- VDS max
：25.0V
- RDS (on)(@10V) max
：4.2mΩ
- RDS (on) max
：4.2mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：5.9mΩ
- Polarity
：N+N
- Polarity
：N+N
- ID (@ TA=70°C) max
：13.0A
- ID (@ TA=70°C) max
：13.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：16.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：16.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：1.7W
- QG
：8.8nC
- RthJA max
：72.0K/W
- Tj max
：150.0°C
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Qgd(typ)
：3.1nC
- VGS max
：16.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
2903 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
IR |
1429+ |
SMD |
2803 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIRECT-FET |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
DIRECTFET? SA |
1000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
DIRECT-FET |
8000 |
新到现货，只做全新原装正品 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD |
242380 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DIRECT-FET |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 |
